2021年6月24日 在 CMP 制程中，由于化学反应及抛光液中研磨微粒的存在，必然会引入表面玷污，因此在晶片表面全局平坦化之后必需进行有效清洗。 典型的 CMP 后清洗制程包括兆

2022年3月7日 研究了兆声波对300 mm直径硅片湿法清洗槽中水和气泡运动的影响。使用水溶性蓝色墨水的示踪剂观察整个浴中的水运动。兆声波加速了整个浴槽中的水运动,尽管没有兆

我们之前的研究表明,水中缺乏溶解气体会导致颗粒去除率显着降低,尤其是在低兆声功率水平下 [5]。DIW 中的溶解气体对空化起着关键作用,因此对于有效去除颗粒至关重要。因此,本文中的所有实验均使用

2021年10月28日 文章:EUV 光掩模兆声清洗中的声流效应 编号:JFKJ-21-900 作者:华林科纳 引言 从光掩模中去除纳米尺度的污染物颗粒对于32纳米节点的EUV光刻的实施至关重要。兆

2022年3月15日 兆声清洗晶片过程中去除力的分析 在半导体器件的制造过程中,兆声波已经被广泛用于从硅晶片上去除污染物颗粒。在这个过程中,平面硅片被浸入水基溶液中,并受到频